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厂商型号

30C02MH-TL-H 

产品描述

Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 3-Pin MCPH T/R

内部编号

277-30C02MH-TL-H

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
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美国加州
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30C02MH-TL-H产品详细规格

规格书 30C02MH-TL-H datasheet 规格书
30C02MH
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic)(最大) 700mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 190mV @ 10mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 300 @ 50mA, 2V
功率 - 最大 600mW
频率转换 540MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 3-MCPH
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.7
最小直流电流增益 300@50mA@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极基极电压 40
最低工作温度 -55
包装高度 0.88(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 600
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 540(Typ)
封装 Tape and Reel
PCB 3
每个芯片的元件数 1
包装宽度 1.6
供应商封装形式 MCPH
包装长度 2
最大集电极发射极电压 30
类型 NPN
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 700mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 540MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 190mV @ 10mA, 200mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 3-MCPH
功率 - 最大 600mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 300 @ 50mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 600 mW
直流集电极/增益hfe最小值 300 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 SMD/SMT
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 700 mA
系列 30C02MH
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 600 mW

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